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初三化学复习方法 化学如何提升分数

初三化学应怎样复习

学习方法 具体措施

通读教材 把课本上的每一个字都看一遍，不论是大字、小字还是页面边角的注释都认真看一遍，并将课本后的练习题认真仔细的做一遍。

挑选配套的练习册 挑选的练习册要贴合教材、内容精炼、有重点知识梳理的填空题、适量的练习题，以及少量的课本知识补充。

记住基本的元素名称 记住元素符号和化学式。记忆的时候可以使用谐音法，提高记忆效率，如：亲爱李皮彭，坦荡养福来(氢氦锂铍硼，碳氮氧氟氖)。

记住实验现象，弄懂实验原理 化学课本上有很多演示实验，这些演示实验能够帮助理解化学原理、学会基本的化学研究方法;预习的时候要重点记忆实验现象，弄懂实验原理，实验装置，厘清实验注意事项。如测定空气中氧气含量的实验，实验室制氧气的实验，硫、铁、碳在氧气中燃烧的实验等等。课本上出现的有装置图片的实验都是学习的重点。

了解微观世界

很多学生不能很好地理解分子原子到底是怎么回事，造成了化学学习的困境。了解物质的构成后，就可以很好地学习分子和原子的知识。如，分子是由原子构成的，原子是由原子核和核外的电子构成的。构成分子的原子可以分解后重新排列组合，构成新的分子，这就是化学变化的实质。

拓展阅读：

化学为改善电子材料铺平道路

导读

据瑞典林雪平大学官网近日报道，该校科学家开发出一种可用于制备高品质氮化铟的新型分子，使在高频电子器件等产品中使用氮化铟成为可能。

背景

氮化铟（InN）是氮化物半导体材料的一种。它在常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构，是一种直接带隙半导体材料。

（图片来源：维基百科）

氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有较大的电子迁移率、较大的峰值速率、较大的饱和电子漂移速率、较大的尖峰速率以及较小的带隙、较小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有独特优势，尤其在制备太赫兹器件，化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。

然而，制备氮化铟材料并非易事。

创新

近日，瑞典林雪平大学（ Linköping University）的科学家们开发出一种可用于制备高品质氮化铟的新型分子，使在高频电子器件等产品中使用氮化铟成为可能。研究成果发表在《材料化学（Chemistry of Materials）》杂志上。

下图所示：Rouzbeh Samii、Henrik Pedersen、Nathan O’Brien 和 Polla Rouf 在实验室中。

（图片来源：Magnus Johansson）

技术

目前我们进行无线数据传输所用的带宽很快将被耗尽。如果我们要继续增加传输的数据量，就必须通过使用更多的频率（太赫兹）来增加可用的带宽。氮化铟可能会成为这一解决方案的一部分。

这项研究的领导者、林雪平大学物理系无机化学教授亨里克·彼得森（Henrik Pedersen）表示：“电子非常容易通过氮化铟，因此可以通过这种材料以非常高的速度向前或者向后发送电子，并以极高的频率产生信号。这意味着氮化铟可用于高频电子器件，例如在这些电子器件中为传输无线数据提供新的频率。”

氮化铟由氮元素以及一种金属元素铟组成。它是一种可应用到晶体管中的半导体，而晶体管是所有电子器件的基础。可是问题在于，氮化铟薄膜难以制备。类似半导体材料的薄膜，通常采用一种成熟的方法，也称为“化学汽相淀积（CVD）”来制备。这种方法采用的温度介于800摄氏度和1000摄氏度之间。但是，当温度升至600摄氏度以上时，氮化铟会分解为其成分铟和氮。

在这项研究中，科学家们使用了CVD技术的变种，即所谓的“原子层沉积（ALD）”，这项工艺使用了较低的温度。

博士生 Polla Rouf 在用于制备氮化铟薄膜的 ALD 反应堆旁。（图片来源：Magnus Johansson）

他们开发出一种新的分子，称为“三氮烯-铟配合物（indium triazenide）”。之前没有人研究过这种三氮烯-铟配合物，但是林雪平大学的研究人员很快就发现，三氮烯分子对于制备薄膜来说是一种卓越的起始原料。

下图所示：与之前研究的那些分子相比，这里研究的分子以氮原子占据碳原子之前的位置。这使得铟原子位于分子的中心，周围围绕着三个分子碎片，三个氮原子在那里形成一座“桥”（三氮烯）。

（图片来源：Karl Rönnby）

电子器件中使用的大多数材料必须通过在控制电子材料晶体结构的表面上制造薄膜的方式来生产。这个过程称为“外延生长”。研究人员发现，如果使用碳化硅作为衬底，则有可能实现氮化铟的外延生长，而这在以前是未知的。此外，以这种方法制备的氮化铟极其纯净，是世界上品质最好的氮化铟之一。

用林雪平大学研究人员开发的分子创造位于碳化硅上的氮化铟薄层。（图片来源：Magnus Johansson）

亨里克·彼得森表示：“我们制备的分子（三氮烯-铟配合物）使得在电子器件中使用氮化铟成为可能。我们已经证明能够以一种保证氮化铟足够纯净从而可以被描述为真正电子材料的方式制备它。”

Nathan O'Brien 用手套箱让敏感的分子在合成过程中避免接触空气与水分。（图片来源：Magnus Johansson）

研究人员们描述了另一个令人惊讶的事实。那些使用 ALD 的人普遍认为，不应该允许分子在气相中以任何方式产生反应或者分解。但是，当研究人员改变涂覆工艺的温度时，他们发现这项工艺处于稳定的温度不是一个，而是两个。

亨里克·彼得森表示：“三氮烯-铟配合物在气相中分解为更小的碎片，这改善了 ALD 工艺。这是 ALD 范畴内的一个范式转变，即采用在气相中不完全稳定的分子。我们证明，如果我们允许新分子在气相中分解到一定程度，我们最终会获得一个更好的结果。”

目前研究人员正在测试三氮烯与其他金属而不是铟的类似配合物，并在 ALD 工艺中使用它们生产分子时得到了可喜的结果。

关键词

化学、分子、电子、太赫兹

参考资料

【1】Nathan J. O’Brien, Polla Rouf, Rouzbeh Samii, Karl Rönnby, Sydney C. Buttera, Chih-Wei Hsu, Ivan G. Ivanov, Vadim Kessler, Lars Ojamäe, Henrik Pedersen. In Situ Activation of an Indium(III) Triazenide Precursor for Epitaxial Growth of Indium Nitride by Atomic Layer Deposition. Chemistry of Materials, 2020; 32 (11): 4481 DOI: 10.1021/acs.chemmater.9b05171

【2】https://liu.se/en/news-item/kemi-banar-vag-for-battre-elektronikmaterial