现在装，固态硬盘必不可少，已经取代传统机械硬盘成为首选。随着电脑硬件的升级和技术的革新，NVMe M.2 SSD逐渐取代SATA SSD成为市场主流。最近朗科推出了其高端定位NVMe M.2 SSD - NV2000系列新品，采用PCIe Gen3.0x4和NVMe 1.4协议，我们拿到的是512GB版本。让我们来看看它的性能。

在性能测试之前，先带大家了解一下朗科NV2000 NVMe M.2 SSD是一款怎样的产品。

朗科NV2000 NVMe M.2固态硬盘开箱即用:

▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的外包装

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用了全新的包装设计，主体为深灰色，带有一丝红色点缀，更具现代感和科技感。包装盒正面有一个小窗口，消费者可以通过这个窗口直观地看到产品。此外，一些关键信息可以在包装正面读取，如NVMe M.2 SSD，PCIe Gen3x4接口和2280的尺寸。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD宽22mm，长80mm。是标准产品尺寸，兼容性没有问题。目前可以安装M.2插槽的台式机主板，笔记本也可以。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD没有配备独立的缓存芯片，但其NVMe协议支持HMB(主机内存缓冲)技术，保证了其性能。SATA SSD没有这个。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD走的是PCIe Gen3.0x4通道，必须安装在相应的M.2插槽才能发挥性能优势。

作为朗科的中高端M.2 SSD，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD提供五年质保，比普通SSD的三年质保更长，让消费者更放心使用。也从侧面表明了朗科对这款产品质量的充分信心。

撕掉产品正面标签，可以看到PCB正面有一个主控芯片和四个闪存芯片，没有缓存芯片。背面是空白色。这种单面PCB布局对于轻薄笔记本电脑的升级非常友好。

▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek的RTS5765DL主控芯片。

Realtek(瑞宇)是知名的半导体企业。估计大家对“小螃蟹”的 *** 芯片和音频芯片都不陌生。近年来，Realtek进入固态硬盘主控芯片领域，Realtek推出的RTS5765DL主控得到了广泛应用。这是一款基于HMB(Host Memory Buffer)技术的无DRAM控制芯片，可以匹配最新的NAND闪存，具有出色的数据安全性和LDPC纠错能力。

▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的闪存芯片由四块芯片组成，每块128G，组成512G容量。

用Realtek Flash ID识别软件，可以看出这是YMTC TLC闪存。YMTC是长江仓储。根据颗粒的规格信息，可以判断这是长江存储最新的64层堆叠的TLC闪存。采用自主研发的Xtacking堆栈结构，核心容量256Gb，性能良好。目前国内很多SSD品牌都采用这种闪存颗粒。

测试平台描述:

CPU:英特尔酷睿i7-11700F(关闭所有CPU节能特性)主板:多彩iGame Z590 Vulcan X显卡:银河名人堂RTX 3080 Ti内存:威刚XPG D50 DDR 4-3600 8X2硬盘:金士顿KC2000 500G(系统盘)测试盘:朗科NV2000 M.2 512G(从盘，空) 系统:Windows 10专业驱动

在CrystalDiskInfo软件中，可以看到朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的固件为VC0S0303，传输模式为PCIe 3.0x4，标准为NVM Express 1.4。读写卷都是0，证明这是新盘。

基准性能测试:

基准测试1: Crystaliskmark测试

在CDM测试中，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD连续读写速度为2558和1981MB/s，4K随机读写QD1达到53MB/s和164MB/s，在PCIe 3.0x4 SSD中处于中高端水平。虽然离旗舰产品有一定差距，但比SATA SSD好多了。

作为SSD基准测试，在4K-64Thrd测试项目上，跑出了185K和255K随机IOPS进行读写，比SATA SSD高了一个级别。只有拥有如此高的IOPS，它才能应对大型游戏、图形渲染和专业设计等高负载场景。

基准3:阿托

o在ATTO测试中，测试了不同数据块大小的传输速度，从0.5KB到8192KB不等。

从64KB数据块开始，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD表现出高速性能，可以保持稳定的高速读写，基本没有波动。

基准4: PCMARK8

PCMark8有专门的硬盘测试项目，包括魔兽世界和战地3的游戏加载测试，Photoshop，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe lllustrator，Microsoft Office Word，Office Excel，Office PowerPoint。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD，PCMark8成绩5063，存储带宽563.92 MB/s，成绩如何？我之前测试过一个三星970EVO Plus 1TB，这是一个旗舰PCIe Gen3.0x4 M.2 SSD。它的PCMark8成绩是5074，存储带宽是582.52MB/s，这两款固态硬盘价格相差很大，但结果差不多。朗科NV2000 NVMe M.2 SSD可以应对高强度、重负载的读写场景。

SLC缓存测试:

以空磁盘为例，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的SLC缓存容量约为180GB。考虑到无外接缓存的设计，大容量的SLC缓存空可以在一定程度上保证其性能。面对长期高负荷的读写，表现会更加从容。

高级项:4KB QD32随机写入分散测试

用IOMeter软件连续高强度写SSD半小时。设定:QD队列深度32；100%随机写作；每秒记录一个数据，得到数据分布图如下:

在测试过程中，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的数值在15000-22000 IOPS之间波动，不存在大起大落和波动幅度特别大的现象。这说明这款SSD在处理高强度读写时稳定性还是不错的。像一些山寨盘，闪存颗粒质量不好，可能会归零或者数值突然降到特别低，会严重影响读写效率，不适合重负载。

微调和GC测试:

空磁盘性能，写的比较稳定。

使用IOMeter将4K QD32随机写入SSD磁盘半小时后，立即进行测试。此时，在经历重负载后，性能衰减近一半且波动较大，平均写入值从741MB/s下降到361 MB/s。

空闲一个小时后，写入速度恢复到561MB/s，说明这个磁盘垃圾收集能力不错。既能长时间管理重负载，又能在短时间内恢复正常性能。

经过分区格式化和整体修整后，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD将恢复空磁盘的速度。

摘要:

朗科NV2000 NVMe M.2 512G SSD连续读写速度在2500和2000MB/s左右，4K随机读写也是高端水平。此外还有大容量SLC缓存空室，保证了大容量高强度写入时不容易失速。在重载测试中，也能看到它可靠的一面。

朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek RTS5765DL的方案来控制长江存储的64层TCL闪存，是业界比较成熟的方案。提供五年质保，诚意满满。总的来说，这样的NVMe M.2 SSD是不错的选择之一，无论是安装在新平台上，还是在旧平台上升级。感兴趣的朋友可以去朗科官方旗舰店看看。

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